1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.
上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
产品分类
相关产品应用案例
美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 探针光栅刻蚀应用
高能量 22cm 栅极离子源, MEMS 探针光栅刻蚀, 材料为 Sio2 和金属, 刻蚀均匀性 ±5%
KRi 射频离子源 RFICP 380 树脂镜片高性能 AR 工艺
KRi 射频离子源 RFICP 380 树脂镜片高性能 AR 工艺
美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 晶圆蚀刻
刻蚀 6寸或8寸 MEMS 晶圆, 材料为 Au / Ti ; 铁磁性多层膜蚀刻, 材料为 RU, Co, Fe, Pt, Ta.
美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 增强光学基片反射及透射率
通过玻璃镜片表面清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD 工艺, 增强光学基片反射及透射率
