上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 100, KDC 75 又获 IBE 离子束刻蚀机订单, 应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.

KRi 考夫曼离子源 KDC 离子束刻蚀应用案例: 刻蚀抛光后的硅片


KRi 考夫曼离子源在刻蚀应用优势
1. 远程等离子工艺
2. 基板无需加 BIAS
3. 纯物理刻蚀, 可以刻蚀任何材料
4. 各向异性刻蚀（侧壁准直度好）
5. 刻蚀角度可控制
6. 离子能量, 离子束流可调节控制
7. 多层膜刻蚀时无需化学优化
8. Ar 作为工艺气体, 工艺简单, 根据刻蚀需求可以增加反应气体

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列: 通过加热灯丝产生电子, 低电流高能量宽束型离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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