KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀清洁

上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离子束电流超过 1000mA. 高功率光束无需对离子源进行水冷却即可实现. KDC 160 配备了双灯丝. 在标准配置下, KDC 160 典型离子能量范围为 100 至 1200eV, 离子电流可超过 800mA.

KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀系统: 批量处理, 行星载台 4 x 10 片, 刻蚀均匀性 <±5%.
KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀清洁

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源成为以纳米精度设计薄膜和表面的有效工具. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑界面, 改善附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, 考夫曼离子源 KDC 都能产生有益的材料性能.

美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 现已广泛应用于光学, 光子学, 磁性和微电子器件的研究和工业制造. KDC 离子源可以配置并集成到许多真空工艺平台中, 例如钟罩系统, 小型多用途科研系统, 沉积或蚀刻系统和各类真空镀膜机.

KDC 考夫曼离子源可以实现: 离子束刻蚀 IBE, 离子束抛光 IBF, 表面清洁 PC, 辅助镀膜 IBAD, 表面改性和活化 SM, 直接沉积 DD, 溅射镀膜 IBSD.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.
上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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