上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀 + E-beam 高真空双腔系统, 随着超导材料对刻蚀和薄膜沉积精度及工艺控制要求的逐步提高, 传统的单一刻蚀或镀膜工艺设备已经无法满足使用要求, 干法刻蚀和薄膜沉积的双腔系统逐步成为主流应用.

KRi 考夫曼离子源 KDC 40 高真空双腔系统应用案例
某客户采用线性级联技术, 集成了进样/预处理, IBE 离子束刻蚀, E-beam 电子束蒸发镀膜以及氧化四个腔室. 其中离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀腔内, 协助研发高质量的超导器件.

考夫曼离子源 KDC 40 用于 IBE 离子束刻蚀


KDC 40 也适用于 E-beam 电子束蒸发腔, 用于辅助镀膜.


上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 40 是栅网直径为 4cm 的直流考夫曼离子源,  通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 提供低浓度高能量宽束型离子束. KRi KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 65 至 1200ev, 离子电流可以超过 140 mA.
 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
上海伯东是美国  KRi 考夫曼离子源中国总代理.