KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！

KRi 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 8寸硅片带铜膜, 通氩气, 60s
污染物清除: 有机物,吸附气体
数据来源: 俄歇电子能谱 Auger spectra, 美国 KRi 原厂资料

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 轻蚀刻, 硅片去除很薄的金属膜, 通氩气
污染物清除: 去除金属薄膜 (w/ Ni/Fe)
数据来源: 美国 KRi 原厂资料

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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