上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 1000 又获科研级薄膜沉积设备订单, KRi EH 1000 应用于高真空电子束蒸发设备 E-Beam, 4英寸的氧化膜沉积实验.

KRi 霍尔离子源 EH 1000 客户案例
高真空电子束蒸发设备选配上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 1000 实现晶圆的预清洗, 在高真空和超高真空环境下实现精确的多层薄膜制备(4英寸的氧化膜沉积). 满足高校及企业研发和小规模生产场合.


通过使用 KRI 离子源在沉积前用离子轰击基材表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 可以提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！

使用 KRi 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

 

KRi 霍尔离子源 eH 1000 技术参数

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果.