上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 eH 1000 又获科研级薄膜沉积设备订单, KRi EH 1000 应用于高真空电子束蒸发设备 E-Beam, 4英寸的氧化膜沉积实验.

KRi 霍尔离子源 EH 1000 客户案例
高真空电子束蒸发设备选配上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 1000 实现晶圆的预清洗, 在高真空和超高真空环境下实现精确的多层薄膜制备(4英寸的氧化膜沉积). 满足高校及企业研发和小规模生产场合.


通过使用 KRI 离子源在沉积前用离子轰击基材表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 可以提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！

使用 KRi 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

 

KRi 霍尔离子源 eH 1000 技术参数

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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上海伯东: 叶小姐                                                台湾伯东: 王小姐
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KRi 霍尔离子源 eH 1000 应用于科研级薄膜沉积设备