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美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 探针光栅刻蚀应用
美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 探针光栅刻蚀应用

高能量 22cm 栅极离子源, MEMS 探针光栅刻蚀, 材料为 Sio2 和金属, 刻蚀均匀性 ±5%

上海伯东 Hakuto 在线质谱分析仪催化剂多孔材料表征
上海伯东 Hakuto 在线质谱分析仪催化剂多孔材料表征

在线质谱分析仪与 BTA 表面分析仪联用进行催化剂多孔材料表征

IBE 离子束干法刻蚀机在精密光栅加工中的应用优势
IBE 离子束干法刻蚀机在精密光栅加工中的应用优势

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机适用于闪耀罗兰光栅, AR 眼镜斜光栅, GaN光栅, 薄膜铌酸锂(LN)光栅耦合器制备

上海伯东离子束刻蚀机 20IBE-C 在 BAW/SAW 滤波器刻蚀中的应用
上海伯东离子束刻蚀机 20IBE-C 在 BAW/SAW 滤波器刻蚀中的应用

IBE 离子束刻蚀机 20IBE-C 成为 BAW/SAW 滤波器制造的关键工艺之一.

IBE 离子束刻蚀机工作原理与性能特点
IBE 离子束刻蚀机工作原理与性能特点

IBE (Ion Beam Etching) 离子束刻蚀, 通常使用 Ar 气体作为蚀刻气体, 将与电子的冲击产生的离子在 200~ 1000ev 的范围内加速, 利用离子的物理动能

KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统
KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统

KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机
KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机

应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.

ph-instruments SRG 磁悬浮转子真空计可替代 MKS, INFICON 离子规
ph-instruments SRG 磁悬浮转子真空计可替代 MKS, INFICON 离子规

可以替代离子规 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型号

SRG 磁悬浮转子真空计应用优势
SRG 磁悬浮转子真空计应用优势

耐腐蚀和沉积, 无灯丝设计, 替代传统的离子规(冷阴极离子规或热阴极离子规)

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