上海伯东 Hakuto 自研在线质谱分析仪
ph-instruments SRG 高精度磁悬浮转子真空计
敬邀您出席 SEMICON@ CHINA 2026 上海伯东展位 N2馆【2267】
2026-01-28
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2026-04-24
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2025-12-15
高能量 22cm 栅极离子源, MEMS 探针光栅刻蚀, 材料为 Sio2 和金属, 刻蚀均匀性 ±5%
上海伯东 IBE 离子束刻蚀机适用于闪耀罗兰光栅, AR 眼镜斜光栅, GaN光栅, 薄膜铌酸锂(LN)光栅耦合器制备
IBE 离子束刻蚀机 20IBE-C 成为 BAW/SAW 滤波器制造的关键工艺之一.
IBE (Ion Beam Etching) 离子束刻蚀, 通常使用 Ar 气体作为蚀刻气体, 将与电子的冲击产生的离子在 200~ 1000ev 的范围内加速, 利用离子的物理动能
KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统
应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.
可以替代离子规 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型号
耐腐蚀和沉积, 无灯丝设计, 替代传统的离子规(冷阴极离子规或热阴极离子规)