美国 KRi 霍尔离子源 eH 400

簡介

KRi 霍尔离子源 eH 400 直径 3.7 ″, 高3″
放电电压/电流: 50-300 V/5 A
工艺气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体物质
高离子束电流满足沉积率的临界到达比, 高离子辅助沉积 IAD 速率
低离子能量通过避免高能离子对表面和界面的轰击损伤而使产量更大化
宽束, 发散离子束通过均匀地覆盖沉积区从而增加每次加工零件数量来提高吞吐量
坚固耐用的模块化结构降低了备件耗材和维护时间, 减少维护成本和停机时间
无栅网, 紧凑设计, 方便加装, 提供离子辅助功能

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技术规格

上海伯东代理美国 KRi 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高电流离子束 > 750 mA, KRi 霍尔离子源 eH 400 小巧的尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 适用于离子辅助镀膜 IBAD, 预清洗 PC s和低能量离子蚀刻 IBE.

KRi 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

型号	eH 400
阳极	DC
阳极电流(最大)	5A
离子束流(最大)	>750mA
阳极电压范围	50-300V
离子能量范围	25-300eV
阳极功率(最大)	500W (辐射冷却)
气体	惰性气体和反应气体
气体流量	3-30 sccm
压力	< 1 x 10^-3 Torr
离子束流直径	4cm Φ
离子束发散角度	> 45° (hwhm)
阴极中和器	沉浸式或非沉浸式
尺寸:	高度: 3.0” (7.62cm); 直径: 3.7” (9.4cm)

KRi 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
电子束蒸发, 磁控溅射中的 IBAD
Load Lock 预清洁
沉积前的预清洁
低能离子束蚀刻
类金刚石碳涂层
离子束溅射

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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