美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 晶圆蚀刻

上海伯东代理美国 KRi 射频离子源又获晶圆蚀刻订单, 用于刻蚀 6寸或8寸 MEMS 晶圆, KRi 射频离子源提供干式, 物理蚀刻, 可以刻蚀任何材料, 完成 MEMS 芯片研发生产中必不可少的蚀刻工序.

KRi 离子源 6寸8寸 MEMS 晶圆蚀刻
离子源型号: RFICP 220, RFICP 140, 射频频率 2mhz, 射频自动匹配, 不影响等离子体放电性能, 减少加热, 故障和电磁干扰的风险.
刻蚀材料: 6寸或8寸 MEMS 电极刻蚀, 材料为 Au / Ti ; 铁磁性多层膜蚀刻, 材料为 RU, Co, Fe, Pt, Ta.
工艺气体: 惰性气体, 一般通 Ar.
KRi 离子源 6寸8寸 MEMS 晶圆蚀刻

KRi 射频离子源技术参数

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 阳极	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直径	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000 or RFN

上海伯东美国 KRi RF 射频离子源无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
美国 KRI 射频离子源

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能, 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.

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