美国 KRi 射频离子源 RFICP 220

簡介

22cm 栅网 RF 射频离子源
2kW & 2 MHz, 射频自动匹配
大尺寸设计, 提供高能量,宽束离子束
可选 3层栅网
满足 200mm 离子束刻蚀 IBE , 离子溅射镀膜 IBSD , 离子辅助镀膜 IBAD
更大的离子光学组件选择, 覆盖大于 2米的工艺区域
标准配置下, KRi RFICP 220 射频离子源典型离子能量范围为 100 ~ 1500eV, 离子电流输出可达 2000mA

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技术规格

上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, KRi 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下KRi 射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.

KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

阳极	电感耦合等离子体 2kW & 2 MHz 射频自动匹配
最大阳极功率	>1kW
最大离子束流	> 1000mA
电压范围	100-1200V
离子束动能	100-1200eV
气体	Ar, O2, N2, 其他
流量	5-50 sccm
压力	< 0.5mTorr
离子光学, 自对准	OptiBeamTM
离子束栅极	22cm Φ
栅极材质	钼
离子束流形状	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	30 cm
直径	41 cm
锁紧安装法兰	10”CF

KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
KRi 射频离子源 RFICP 220

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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