2026-01-13 更新

阅读数 : 594

KRi 霍尔离子源 eH 1000 应用于聚氨酯类的材料进行清洗前处理

上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 eH 1000 安装于磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理.
在进行镀膜等工艺前, 对原样品的表面平整度, 洁净程度等参数会有不同的要求. 对于不达标的样品需要进行前处理, KRI 霍尔离子源可以很好的解决这类的问题.

KRI 离子源清洗在真空室中进行, 基板表面清洁后可以立即沉积, 短停留时间暴露于真空背景清洁并活化基材表面比辉光放电更清洁, 生产率更高; 无需基板偏置, 无需高压, 消除了大多数腔室壁的溅射, 没有额外的抽空, 很好地提高了整体工艺的效率与质量.

KRI 霍尔离子源清洗样品示意图:
KRI 霍尔离子源 EH 1000

上海伯东 KRI 霍尔离子源可以在低功耗的情况下进行大电流的工作, 很好的处理样品的清洁度和平整度.可以根据不同的工艺要求来控制样品表面的光滑 / 粗糙程度. 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 达到清洗前处理的作用, 稳定工艺并提高产品产量.

型号

eH 400

eH 1000

eH 2000

eH 3000

eH Linear

中和器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F

阳极电压

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

离子束流

5A

10A

10A

20A

根据实际应用

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

气体流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

根据实际应用

本体高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

根据实际应用

直径

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

根据实际应用

水冷

可选

可选

是

可选

根据实际应用


上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐                                                  台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )               M: +886-939-653-958


现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶小姐 1391-883-7267
上海伯东版权所有, 翻拷必究!

KRi 霍尔离子源 EH 1000 应用于聚氨酯类的材料进行清洗前处理

上海伯东版权所有, 翻拷必究!

一键分享

分享此页

上海伯东版权所有, 翻拷必究!

更新 : 2026-01-13

阅读数 : 594