2026-01-13 更新

阅读数 : 38

KRi 霍尔离子源 EH 1000 应用于聚氨酯类的材料进行清洗前处理

上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 EH 1000 安装于磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理.
在进行镀膜等工艺前, 对原样品的表面平整度, 洁净程度等参数会有不同的要求. 对于不达标的样品需要进行前处理, KRI 霍尔离子源可以很好的解决这类的问题.

KRI 离子源清洗在真空室中进行, 基板表面清洁后可以立即沉积, 短停留时间暴露于真空背景清洁并活化基材表面比辉光放电更清洁, 生产率更高; 无需基板偏置, 无需高压, 消除了大多数腔室壁的溅射, 没有额外的抽空, 很好地提高了整体工艺的效率与质量.

KRI 霍尔离子源清洗样品示意图:
KRI 霍尔离子源 EH 1000

上海伯东 KRI 霍尔离子源可以在低功耗的情况下进行大电流的工作, 很好的处理样品的清洁度和平整度.可以根据不同的工艺要求来控制样品表面的光滑 / 粗糙程度. 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 达到清洗前处理的作用, 稳定工艺并提高产品产量.

型号

eH400

eH1000

eH2000

eH3000

eH Linear

中和器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F

阳极电压

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

离子束流

5A

10A

10A

20A

根据实际应用

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

气体流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

根据实际应用

本体高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

根据实际应用

直径

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

根据实际应用

水冷

可选

可选

可选

根据实际应用

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

 

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐                                                  台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                                           F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )               M: +886-939-653-958
qq: 2821409400 

现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶小姐 1391-883-7267
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更新 : 2026-01-13

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