KRi 霍尔离子源 EH 400 不规则电子晶片蒸镀前清洗

上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 400 成功应用于蒸发镀膜机, 协助客户完成不规则电子晶片蒸镀前清洗, 经过清洗后的晶片镀膜, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.

KRi 霍尔离子源在不规则电子晶片蒸镀中的作用
设备: 进口蒸发镀膜机, 加装离子源
离子源型号: KRi 霍尔离子源 EH 400
预清洁应用: 通过离子 Ar 轰击晶片表面, 去除物理或化学吸附的污染物, 清洁后在进行蒸镀, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.
去除物理吸附污染: 去除晶片表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
KRi 霍尔离子源 EH 400

美国 KRi 霍尔离子源 eH 400 特性
高离子束电流满足沉积率的临界到达比
低离子能量通过避免高能离子对表面和界面的轰击损伤而使产量更大化
宽束, 发散离子束通过均匀地覆盖沉积区从而增加每次加工零件数量来提高吞吐量
坚固耐用的模块化结构降低了备件耗材和维护时间, 减少维护成本和停机时间
无栅网, 紧凑设计, 方便加装, 提供离子辅助功能

KRi 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

型号	eH 400
阳极	DC
阳极电流(最大)	5A
离子束流(最大)	>750mA
阳极电压范围	40-300V
离子能量范围	25-300eV
阳极功率(最大)	500W (辐射冷却)
气体	惰性气体和反应气体
气体流量	3-30 sccm
压力	< 1 x 10^-3 Torr
离子束流直径	4cm Φ
离子束发散角度	> 45° (hwhm)
阴极中和器	沉浸式或非沉浸式
高度	3.0” (7.62cm)
直径	3.7” (9.4cm)

上海伯东代理美国 KRi 离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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