伯东 Hakuto / NS 共同研发的离子束刻蚀机 IBE , 日本原装设计制造, 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及多层膜的复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.
自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套 IBE 离子束刻蚀机. 刻蚀机可选配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 美国 KRi 离子源. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 点击查看更多 IBE 应用案例 >>
主要型号
技术参数
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离子束刻蚀机 10 IBE |
离子束刻蚀机 20 IBE-C |
离子束刻蚀机 20 IBE-J |
