上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1. 应用于 Thermal 热蒸镀设备, e-beam 电子束蒸发设备, 实现离子束辅助沉积工艺 IBAD
KRi 考夫曼离子源作用: 推荐使用考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束. 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.

KRi 考夫曼离子源无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积. 点击了解详情 >>


2. 应用于溅射和蒸发工艺中, 表面预清洁 PC
美国 KRi 考夫曼离子源作用: MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等. 点击了解详情 >>


 

4. 应用于离子束刻蚀机 IBE, 各类材料的离子束刻蚀
美国 KRi 考夫曼离子源作用: 推荐使用射频离子源 RFICP 系列实现干式, 物理, 纳米级蚀刻, 可以刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

气体通入离子源的放电室中, 电离产生均匀的等离子体, IBE 离子束刻蚀系统由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料除去, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程. 点击了解详情 >>


5. 离子束抛光工艺 IBF
美国 KRi 考夫曼离子源作用: 推荐使用考夫曼离子源 KDC 系列, 离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件.

KRi 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. 点击了解详情 >>

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
上海伯东是美国  KRi 考夫曼离子源中国总代理.