上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理. KRi 高电流霍尔离子源 eH 2000 又获精密光学镀膜订单. 霍尔离子源  eH 2000 低成本设计提供高电流离子束, 适合大中型真空系统, 广泛应用于离子辅助镀膜 IBAD, 预清洗 In-situ preclean 和低能量离子蚀刻 IBE.

KRi 高电流霍尔离子源 eH 2000 又获精密光学镀膜订单
eH 2000 霍尔离子源在光学镀膜机中, 制程前做清洁, 6寸芯片的预清洗, 输出稳定的高电流离子束流, 后续在高真空和超高真空环境下实现精确的多层薄膜制备, 满足客户需求.


KRi 高电流霍尔离子源 eH 2000 应用优势
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A (根据工艺可选)
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD效率
兼容 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
高效的等离子体转换和稳定的功率控制
与射频离子源对比, 成本更低
水冷方式有助于降低衬底温度,可适用于塑胶衬底



上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

了解详情上海伯东: 叶女士  13918837267 ( 微信同号 )