上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源  RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE  离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200 mm 硅片蚀刻, 刻蚀 均匀性（1 σ）达到< 5%. KRi 离子源可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其核心部件为离子源. 作为蚀刻机的核心部件, KRi  射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的宽束离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!  

客户案例: 12英寸 IBE 离子束蚀刻机安装 KRi 射频离子源
KRi 离子源工作过程: 气体通入离子源的放电室中,  电离产生均匀的等离子体, IBE系统由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料除去, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程, 一般运行在较高的真空度下.


 

由于等离子体的产生远离晶圆空间, 起辉不受非挥发性副产物的影响.
这种物理方案, 栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制, 提升了工艺可控性
通过载片台的角度调整, 实现离子束倾斜入射, 可用于特殊图案的刻蚀, 也适用于侧壁清洗等工艺.
蚀刻多层时不需要化学优化, 一般工艺通氩气, 也可通活性气体.



KRi 射频离子源 RFICP 系列技术参数:

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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KRi 射频离子源 RFICP 220 8英寸 IBE 离子束刻蚀