适用于批量处理的大型科研离子束刻蚀机 IBE
满足 4寸, 6寸, 8寸多片材料刻蚀
基板数量尺寸: φ4 X 12枚, φ6 X 8枚(可根据器件大小定制载台)
配置 20cm 考夫曼离子源
配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面
均匀性: ≤±5%
可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).
射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
离子束刻蚀机 20 IBE-J 4寸, 6寸, 8寸多片材料刻蚀
簡介
适用于批量处理的大型科研离子束刻蚀机 IBE
满足 4寸, 6寸, 8寸多片材料刻蚀
基板数量尺寸: φ4 X 12枚, φ6 X 8枚(可根据器件大小定制载台)
配置 20cm 考夫曼离子源
配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面
均匀性: ≤±5%
可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).
射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
技术规格
上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 20 IBE-J, 大口径基板尺寸, 适用于实验室批量处理的大型干法刻蚀机, 离子束刻蚀机 20 IBE-J 满足 4寸, 6寸, 8寸多片材料刻蚀. 采用自研公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%. 离子束刻蚀机 20 IBE-J可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).
离子束刻蚀机 20 IBE-J 基本参数
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型号 |
20 IBE-J |
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应用 |
适用于批量处理的实验室研发 |
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内置 |
考夫曼型离子源(或根据需求选择射频离子源) |
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基板尺寸 |
φ4 inch X12片 |
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均匀性 |
≤±5% |
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刻蚀速率 |
硅片 20 nm/min |
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工艺气体 |
Ar, O2, N2 |
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样品台 |
直接冷却(水冷)0-90 度旋转 |
离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 机台设计使用半自动化(手动放置样品)操作流程


上海伯东IBE 离子束刻蚀机可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺. 伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!
自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套IBE离子束刻蚀机. 刻蚀机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵.上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.
若您需要进一步的了解 NS离子束刻蚀机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
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