KRi 考夫曼离子源 KDC 75

7.5 cm 考夫曼离子源
KDC 75 紧凑栅极离子源, 可安装在 8“CF法兰.
适用于中小型腔内
考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜.
标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.

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KRi 考夫曼离子源 KDC 75 7.5 cm 栅极考夫曼离子源

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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75: 紧凑栅极离子源, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数
通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.

型号	KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	2
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	专用, 自对准
-栅极直径	7.5 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1212 或 KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安装	移动或快速法兰
- 高度	7.9'
- 直径	5.5'
- 离子束	聚焦, 平行, 散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	6-24”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:
设备: e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: KDC 75
应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积

KRi 考夫曼离子源 KDC 75

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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