美国 KRi 射频离子源 RFICP 140

簡介

14cm 栅网 RF 射频离子源
1kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配
提供高能量,宽束离子束
可选3层栅网
适用于离子束刻蚀 IBE , 离子溅射镀膜 IBSD , 离子辅助镀膜 IBAD
标准配置下, KRi RFICP 220 射频离子源典型离子能量范围为 100 ~ 1500eV, 离子电流输出可达 600mA

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技术规格

上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准型号的 RFICP 140 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.

KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:

阳极	电感耦合等离子体 1kW & 1.8 MHz 射频自动匹配
最大阳极功率	1kW
最大离子束流	> 500mA
电压范围	100-1200V
离子束动能	100-1200eV
气体	Ar, O2, N2,其他
流量	5-40sccm
压力	< 0.5mTorr
离子光学, 自对准	OptiBeamTM
离子束栅极	14cm Φ
栅极材质	钼, 石墨
离子束流形状	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	25.1 cm
直径	24.6 cm
锁紧安装法兰	12”CF

KRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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