KRi 考夫曼离子源
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KRi 射频等离子体源 RF2100ICP

KRi 射频等离子体源 RF2100ICP
KRi 射频等离子体源 RF2100ICP

通过 RFICP 放电激活等离子体: 产生 100% O₂, N₂ 反应等离子束
宽束发散等离子束(准中性): 大出口平面孔径, 提高覆盖范围和均匀性
输出低能量离子: 最大限度地减少衬底损坏
无提取栅网: 减少复杂性, 降低维护成本和潜在污染源
可靠的等离子点火电路: 专用电子源仅在等离子体启动时开启
离子源自动控制和调节: 自动排序和射频阻抗匹配
无水冷却: 消除真空中水泄漏的风险
适用于不同的轰击距离: 一般为 15 至 45厘米

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或直接联络客服: 139-1883-7267

KRi 射频等离子体源 RF2100ICP 14cm ICP 离子源

簡介

通过 RFICP 放电激活等离子体: 产生 100% O₂, N₂ 反应等离子束
宽束发散等离子束(准中性): 大出口平面孔径, 提高覆盖范围和均匀性
输出低能量离子: 最大限度地减少衬底损坏
无提取栅网: 减少复杂性, 降低维护成本和潜在污染源
可靠的等离子点火电路: 专用电子源仅在等离子体启动时开启
离子源自动控制和调节: 自动排序和射频阻抗匹配
无水冷却: 消除真空中水泄漏的风险
适用于不同的轰击距离: 一般为 15 至 45厘米

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技术规格

上海伯东代理美国 KRi 考夫曼品牌离子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射频等离子体源及配套控制器, RF2100 等离子体放电, RFICP 在 2MHz, 电子自动匹配, 固定匹配网络. 离子源 RF2100ICP 适用于预清洁, 氧化和氮化处理, 辅助沉积, 以及各类半导体材料, 磁性金属等的制备.

KRi RF2100 ICP 射频等离子体源特性
通过 RFICP 放电激活等离子体: 产生 100% O₂, N₂ 反应等离子束
宽束发散等离子束(准中性): 大出口平面孔径, 提高覆盖范围和均匀性
输出低能量离子: 最大限度地减少衬底损坏
无提取栅网: 减少复杂性, 降低维护成本和潜在污染源
可靠的等离子点火电路: 专用电子源仅在等离子体启动时开启
离子源自动控制和调节: 自动排序和射频阻抗匹配
无水冷却: 消除真空中水泄漏的风险
适用于不同的轰击距离: 一般为 15 至 45厘米
KRi 射频等离子体源 RF2100ICP

KRi RF2100 ICP 射频等离子体源参数

Dishcharge

电感耦合

RF discharge power

600W

输出电流

> 500mA (取决于功率,压力和气体)

通 Ar 能量范围

5-50V (取决于功率和压力)

等离子尺寸@源打开

14cmφ

离子束形状

发散

点火

电子源

气体

Ar, O₂, N₂, H₂/Ar blend

压力

0.5-10mTorr (取决于气体种类)

气体流量

5-60sccm (取决于抽速, 气体, 压力和功率)

冷却

无水冷却

一般高度

9.25” (23.5cm)

直径

7.675” (19.5cm


上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

 

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐                                                 台湾伯东: 王小姐
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