上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 220, 高能量 22cm 栅极离子源, 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA. 适用于各类 IBE, ICP 刻蚀设备.

KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 探针光栅刻蚀案例
离子源型号: RFICP 220, RFICP 380, 根据客户工艺要求选择 发散两栅网配置
安装于: 6寸或8寸 IBE, ICP 刻蚀设备
刻蚀材料: MEMS 探针光栅刻蚀, 材料为 Sio2 和金属, 刻蚀均匀性 ±5%
工艺气体: Ar.


KRi 射频离子源刻蚀过程
气体通入离子源的放电室中,  电离产生均匀的等离子体, IBE 离子束刻蚀系统由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料除去, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程. 

KRi 射频离子源在刻蚀工艺中的优势:
1. 大尺寸, 射频频率 2mhz, 射频自动匹配, 不影响等离子体放电性能, 减少加热, 故障和电磁干扰的风险.
2. 实现干式, 物理, 纳米级蚀刻, 可以刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

 

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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