上海伯东美国 KRi RFICP 220 三层栅网射频离子源, 射频频率 2mhz, 射频自动匹配, 不影响等离子体放电性能, 减少加热, 故障和电磁干扰的风险, KRi RFICP 220 三层栅网设计, 覆盖面积更大, 精密控制离子束流的能量, 方向, 保障输出束流质量的同时最小化能量损耗. 对污染的工艺环境, 具备一定的防护作用,满足 8寸金属刻蚀机的应用需求.



KRi RFICP 220 三层栅网射频离子源 8寸金属刻蚀机应用优势
直径 22cm 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束
射频频率 2mhz, 射频自动匹配
三层栅网设计
刻蚀材料: 包括并不限于硅, 石英, Ⅲ-Ⅴ族化合物, 合金, 陶瓷等
刻蚀均匀性: ±5%

KRi RFICP 220 射频离子源基本参数:

上海伯东美国 KRi RF 射频离子源无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长!  提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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KRi RFICP 220 三层栅网射频离子源适用于 8寸金属刻蚀机