KRi 电子中和器 LFN 2000

上海伯东美国 KRi 电子中和器 Electron Sources, 提供几种类型的低能量高电流电子源. 电子源技术包含浸入式热离子灯丝和非浸入式空心阴极发射器. 型号包含灯丝型中和器 Filament Neutralizer , 空心阴极中和器 Hollow Cathode Neutralizers, LFN2000, RFN3000,

通常, 这些电子源可以作为阴极和/或中和器与等离子体或离子源结合使用. 它们在惰性和反应性气体环境中的操作是标准的. 电子源的发射电流是用电流反馈回路测量和控制. 由于这种精确可靠的电子源, KRi 电子中和器成功地用于静电敏感应用和介电材料环境.

KRi 电子中和器安装在材料处理环境中, 作为中和器集成到离子束源上, 或者可以集成到等离子体放电的电离过程中. 在其他应用中, 可以与磁控管阴极一起安装以调整溅射操作.

KRi 电子中和器 Electron Sources 功能
离子束中和: 射频离子源, 考夫曼离子源, 霍尔离子源和阳极层源
等离子体产生中的电离: 射频离子源, 考夫曼离子源, 霍尔离子源
在正偏置分析仪器中, 电中和
磁控溅射中增强的电子通量

主要型号

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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