KRi 大面积射频离子源 RFICP 380

簡介

38cm 栅网 RF 射频离子源
2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配
大尺寸设计, 提供高能量,宽束离子束
3层栅网设计
满足 300mm 离子束刻蚀 IBE , 离子溅射镀膜 IBSD , 离子辅助镀膜 IBAD
标准配置下, KRi RFICP 380 射频离子源典型离子能量范围为 100 ~ 1500eV, 离子电流输出可达 4000mA

洽詢了解

技术规格

上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. 广泛应用于离子束刻蚀机.

KRi 射频离子源 RFICP 380 特性
1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配
2. 离子源结构模块化设计
3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
4. 全自动控制器
5. 离子束动能 100-1200eV
6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用
KRi 射频离子源 RFICP 380

射频离子源 RFICP 380 技术规格:

阳极	电感耦合等离子体 2kW & 1.8 MHz 射频自动匹配
最大阳极功率	>1kW
最大离子束流	> 1000mA
电压范围	100-1500V
离子束动能	100-1200eV
气体	Ar, O2, N2,其他
流量	5-50sccm
压力	< 0.5mTorr
离子光学, 自对准	OptiBeamTM
离子束栅极	38cm Φ
栅极材质	钼
离子束流形状	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	38.1 cm
直径	58.2 cm
锁紧安装法兰	12”CF

上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!
KRi 射频离子源 RFICP 380

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 叶小姐台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 ) T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 ) M: +886-939-653-958
qq: 2821409400

现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东叶小姐 1391-883-7267
上海伯东版权所有, 翻拷必究！