离子蚀刻机离子束刻蚀机 10 IBE

簡介

基板尺寸: φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根据器件大小定制载台)
均匀性: ≤±5%
适用于实验室研究 8寸及以下单片的材料刻蚀
可选配美国 KRi 考夫曼离子源或 EPD 终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程)
干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
可根据您的要求进行定制

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技术规格

上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 10 IBE, 适用于实验室研究 8寸及以下单片的材料刻蚀. 离子束刻蚀机 10 IBE 可选配美国 KRi 考夫曼离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).

离子束刻蚀机 10 IBE 基本参数

型号	10 IBE	可选
应用	实验室研发,占地面积小
内置	考夫曼型离子源 (或根据需求选择射频离子源)
基板尺寸	φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根据器件大小定制载台)
均匀性	≤±5%
刻蚀速率	硅片 20 nm/min
工艺气体	Ar, O₂, N₂
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转

离子束刻蚀机 10 IBE 组成

离子束刻蚀机 10 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 机台设计使用半自动化(手动放置样品)操作流程

IBE 离子束刻蚀机

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺. 伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套IBE离子束刻蚀机. 刻蚀机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵.上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

若您需要进一步的了解 NS离子束刻蚀机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 叶小姐台湾伯东: 王小姐
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