上海伯东客户某高校使用国产品牌离子束溅射镀膜机用于金属薄膜制备, 工艺過程中, 国产离子源钨丝仅使用 18个小时就会烧断, 需要中断镀膜工艺更换钨丝, 无法满足长时间离子束溅射镀膜的工艺要求, 导致薄膜质量低的情况. 客户需要离子源的稳定工作时间不低于 48个小时, 经过伯东推荐最终改用美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 完全符合客户长时间镀膜的工艺要求, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.

上海伯东真空溅射镀膜机离子源改造方案:
根据客户 4寸基材和工艺条件, 推荐选用射频离子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自动控制器, 替换国产离子源后可以长时间工作( 时长＞100h)！
1. 设备: 国产离子束溅射镀膜机 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 镀钽 Ta 单层非晶薄膜
3. 美国 KRi 射频离子源 RFICP 100, 气体：Ar gas
4. 离子源条件: V_{b max}:1200V ( 离子束电压 ), I_{b max}:＞400mA ( 离子束电流 )

上海伯东射频离子源 RFICP 100 主要技术规格:
小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 叶小姐                                                 台湾伯东: 王小姐
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美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 应用于国产离子束溅射镀膜机 IBSD