上海伯东美国 KRi 三层栅网射频离子源 RFICP 220 适用于各类真空镀膜系统, 通过 IBAD 离子束辅助改善金属膜层附着力. 实现各类精密光学镀膜需要.

KRi 三层栅网射频离子源 RFICP 220 精密光学镀膜案例
设备: 电子束蒸发设备 E-beam
应用: 镀金属反射膜, 大型望远镜--3.2米量级主镜镀膜应用的真空镀膜系统, 电阻式蒸发源主要用于蒸发金属膜(铝, 银, 铬等材料), 电子束式蒸发源用于蒸发高温氧化物等介质膜. KRi 射频离子源 RFICP 220 离子束辅助镀膜, 用于改善金属膜层附着力, 降低氧化物吸收和提高环境稳定性



KRi 三层栅网射频离子源 RFICP 220
三层栅网设计, 覆盖面积更大, 精密控制离子束流的能量, 方向, 保障输出束流质量的同时最小化能量损耗. 对污染的工艺环境, 具备一定的防护作用.

2MHz射频频率, 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
 

真空环境下, KRi 射频离子源通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 实现薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到需要的材料. 同时 KRi 射频离子源可以对工艺过程优化, 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.


 

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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