对于导电性能良好的金属材料, 一般直流磁控溅射电源是较为合适的选择, 上海伯东美国 KRi 直流磁控溅射电源电弧抑制优势, 稳定的控制磁控溅射阴极, 减少基材和目标的损坏, 增加沉积时间. 适用于金属靶材溅射.


金属靶材溅射过程电弧抑制应用
3" Ф 磁控管阴极, 反应溅射铝金属靶: Ar / 02 气体混合物

KRi 直流磁控溅射电源消弧技术:
弧检测 <100 nsec 弧线检测
电弧处理参数可调: 弧后检测延迟时间, 重新启动前弧后检测输出关闭时间
最小电弧能量:< 1mJ, 减少基材和目标损坏, 减少粒子生成, 增加沉积时间
弧度计数器: 目标条件和工艺环境的指示



KRi 直流磁控溅射电源应用于金属靶材溅射


金属靶材溅射是一种应用于材料制备和表面处理的工艺, 电源不仅影响溅射效率, 还直接关系到溅射过程的稳定性和产品质量. 上海伯东美国 KRi 离子源多年研发和生产经验, 为各类溅射镀膜机提供合适的直流溅射电源和镀膜离子源.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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KRi 直流磁控溅射电源应用于金属靶材溅射