KRi 射频离子源应用于 12英寸和8英寸金属蚀刻机中

上海伯东代理美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求! 实现刻蚀过渡金属及非挥发性金属的需求, 可处理晶圆尺寸最大 300 mm, 适用于磁性存储器 MRAM 及磁传感器的研发及生产.
RFICP 220, RFICP 380 射频离子源

KRI 射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 技术参数:

型号	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 阳极	RF 射频	RF 射频
离子束流	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ	38 cm Φ 大口径射频离子源
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm	5-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	30 cm	39 cm
直径	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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KRi 射频离子源应用于 12英寸和8英寸金属蚀刻机中