上海伯东 KRI 射频离子源应用于 12英寸和8英寸金属蚀刻机中
上海伯东代理美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求! 实现刻蚀过渡金属及非挥发性金属的需求, 可处理晶圆尺寸最大 300 mm, 适用于磁性存储器 MRAM 及磁传感器的研发及生产.

KRI 射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 技术参数:

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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