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Hakuto NS 离子束刻蚀机 IBE
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Hakuto NS 离子束刻蚀机 IBE

伯东 Hakuto / NS 共同研发的离子束刻蚀机 IBE , 日本原装设计制造, 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及多层膜的复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 点击查看应用案例>>

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套 IBE 离子束刻蚀机. 刻蚀机可选配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵美国 KRi 离子源. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机 IBE, 提供成熟可靠的刻蚀解决方案, 基于 50多年的离子束刻蚀经验, 提供从小型研发到生产型的标准刻蚀机和定制刻蚀系统, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%), 适用于自旋电子学, 磁传感器, 射频器件等.

Hakuto 离子束刻蚀机 IBE 特点
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 行星旋转载台, 优异的刻蚀均匀性, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%),
4. 直接冷却载台, 循环水冷, 晶圆载台冷却性能优异
5. 间接冷却载台, 间接冷却设计的干式吸盘载台易于设计载台尺寸和数量
6. 设计灵活, 系统设计上尽可能满足客户的具体要求, 提供定制的离子束刻蚀机
7. 真空系统可选德国 Pfeiffer 分子泵旋片泵
8. 干式载台设计, 掺入金属粉末的干式橡胶卡盘确保了良好的导热性和晶圆附着稳定性
Hakuto 日本制造离子束刻蚀机 IBE

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