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伯东 Hakuto / NS 共同研发的离子束刻蚀机 IBE , 日本原装设计制造, 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及多层膜的复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 点击查看应用案例>>
自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套 IBE 离子束刻蚀机. 刻蚀机可选配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRi 离子源. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!
上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机 IBE, 提供成熟可靠的刻蚀解决方案, 基于 50多年的离子束刻蚀经验, 提供从小型研发到生产型的标准刻蚀机和定制刻蚀系统, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%), 适用于铌酸锂, 闪耀光栅, 自旋电子学, 磁传感器, 射频器件等.
Hakuto 离子束刻蚀机 IBE 特点
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 行星旋转载台, 优异的刻蚀均匀性, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%),
4. 直接冷却载台, 循环水冷, 晶圆载台冷却性能优异
5. 间接冷却载台, 间接冷却设计的干式吸盘载台易于设计载台尺寸和数量
6. 设计灵活, 系统设计上尽可能满足客户的具体要求, 提供定制的离子束刻蚀机
7. 真空系统可选德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
8. 干式载台设计, 掺入金属粉末的干式橡胶卡盘确保了良好的导热性和晶圆附着稳定性
相关产品应用案例
IBE 离子束刻蚀机刻蚀材料和速率
上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.是一种干法物理纳米级别的刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%).
IBE 离子束刻蚀机工作原理与性能特点
IBE (Ion Beam Etching) 离子束刻蚀, 通常使用 Ar 气体作为蚀刻气体, 将与电子的冲击产生的离子在 200~ 1000ev 的范围内加速, 利用离子的物理动能
上海伯东离子束刻蚀机 20IBE-C 在 BAW/SAW 滤波器刻蚀中的应用
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IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用
刻蚀不易刻蚀的金属或合成堆栈膜层 Ta, Ru, Pt … 及介质层 SiO2, SiNx …
IBE 离子束刻蚀机应用优势
上海伯东 IBE 离子束刻蚀机刻蚀最大 8寸的几乎任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体等
IBE 离子束刻蚀机刻蚀应用
上海伯东提供 4-8寸 IBE 离子束刻蚀机, 可以实现 ICP 或 RIE 无法进行的刻蚀, 几乎满足所有材料的刻蚀
IBE 离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用
离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.
IBE 离子束干法刻蚀机在精密光栅加工中的应用优势
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铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀
因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀提供解决方案
