KRI 考夫曼离子源 KDC 160

16 cm 栅极考夫曼离子源 KDC 160
KDC 160 是 KRi 考夫曼型离子源系列中尺寸最大,离子能量最强的栅极离子源
适用于已知的所有离子源应用
考夫曼离子源 KDC 160 高输出设计, 最大电流超过 1000 mA
无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计
标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA

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KRI 考夫曼离子源 KDC 160 16 cm 栅极考夫曼离子源

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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 是目前考夫曼 KDC 系列最大, 离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

KRi 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数

型号	KDC 160
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	2
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	专用, 自对准
-栅极直径	16 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1212
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安装	移动或快速法兰
- 高度	9.92'
- 直径	9.1'
- 离子束	聚焦平行散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	8-45”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 160 应用
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀系统: 批量处理, 行星载台 4 x 10 片, 刻蚀均匀性 <±5%.
KRI 考夫曼离子源 KDC 160

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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