KRi 考夫曼离子源
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KRI 考夫曼离子源 KDC 160

KRI 考夫曼离子源 KDC 160
KRI 考夫曼离子源 KDC 160

上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

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KRI 考夫曼离子源 KDC 160 16 cm 栅极 考夫曼离子源

簡介

上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

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技术规格

上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

KRi 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数

型号

KDC 160

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

16 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

9.92'

 - 直径

9.1'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

8-45”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 160 应用
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀系统: 批量处理, 行星载台 4 x 10 片, 刻蚀均匀性 <±5%.
KRI 考夫曼离子源 KDC 160


 

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐                                               台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                                        F: +886-3-567-0049
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