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适用于脉冲直流磁控溅射, 功率可达 3000 瓦
小于 100 纳秒电弧检测, 1 微秒电弧抑制处理
反向电压最高可调节至 150 伏
电压大范围 0‑1000 伏, 最大输出电流 10 安
工作频率可调
极低电弧能量
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KRi 脉冲直流溅射电源 最大输出电流 10 安
簡介
适用于脉冲直流磁控溅射, 功率可达 3000 瓦
小于 100 纳秒电弧检测, 1 微秒电弧抑制处理
反向电压最高可调节至 150 伏
电压大范围 0‑1000 伏, 最大输出电流 10 安
工作频率可调
极低电弧能量
技术规格
上海伯东美国 KRi 离子源中国总代理. KRi Pulsed DC Sputter 脉冲直流溅射电源适用于脉冲直流磁控溅射, 功率可达 3000 瓦, 电压范围 0‑1000 伏, 最大输出电流 10 安.
