KRi 考夫曼离子源 KDC 100

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, KRi 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下 KDC 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：

* 可选: 可调角度的支架

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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上海伯东: 叶小姐                                                台湾伯东: 王小姐
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