KRi 霍尔离子源 eH 2000

尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A (根据工艺可选)
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
兼容 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
高效的等离子体转换和稳定的功率控制
与射频离子源对比, 成本更低
水冷方式有助于降低衬底温度, 可适用于塑胶衬底

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KRi 霍尔离子源 eH 2000

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上海伯东美国 KRi 离子源中国总代理.原装进口 KRi 高电流霍尔离子源 eH 2000, 低成本设计提供高电流离子束, KRi 霍尔离子源 eH 2000 适合大中型真空系统,适用于离子辅助镀膜 IBAD, 预清洗 In-situ preclean 和低能量离子蚀刻 IBE.

KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数

型号	eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
供电	DC magnetic confinement
- 电压	40-300V VDC
- 离子源直径	~ 5 cm
- 阳极结构	模块化
电源控制	eHx-30010A
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度	> 45° (hwhm)
- 阳极	标准或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移动或快接法兰
- 高度	4.0'
- 直径	5.7'
- 加工材料	金属电介质半导体
- 工艺气体	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离	16-45”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
•  离子辅助镀膜 IAD
•  预清洗 Load lock preclean
•  预清洗 In-situ preclean
•  Direct Deposition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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