上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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KRi 考夫曼离子源 KDC 40 4cm 栅极 考夫曼离子源
簡介
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
技术规格
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数
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型号 |
KDC 40 |
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阳极 |
DC 直流 |
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阳极功率 |
100W |
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最大离子束流 |
>100mA |
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电压 |
100-1200V |
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气体 |
惰性和反应气体 |
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进气流量 |
2-10sccm |
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压力 |
<0.5m Torr |
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离子光学(自对准) |
OptiBeamTM |
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离子束直径 |
4cm Φ max |
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栅极 |
钼和石墨 |
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离子束形状 |
聚焦, 平行, 散射 |
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高度 |
16cm |
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直径 |
9cm |
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.
上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
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应用案例
上海伯东针对不同客户, 提供定制化解决方案并能与客户携手合作研发新的项目应用
KRi 考夫曼离子源应用于离子束抛光工艺
KRi 考夫曼离子源应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.
KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀 + E-beam 高真空双腔系统
美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀 + E-beam 高真空双腔系统
美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 热蒸镀机应用
考夫曼离子源 KDC 40 进行镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD 工艺, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等.
KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统
KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统
KRi 考夫曼离子源常见真空应用
离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺介绍
KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用
通过加热灯丝产生电子, KDC 系列离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD
KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机
应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.
KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等
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