随着基于铌酸锂 LN 的光源, 光调制, 光探测等重要器件的实现, 铌酸锂 LN 光子集成芯片有望像硅基集成电路一样, 成为高速率, 高容量, 低能耗光学信息处理的重要平台, LiNbO3 薄膜刻蚀成特定的图形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀提供解决方案

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机针对铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀优势
1. 满足刻蚀的线条宽度要求
2. 满足刻蚀准直度要求
3. 可以实现 ICP 和 RIE 无法进行的刻蚀




上海伯东日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%). 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发和量产需要.

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺. 伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套IBE离子束刻蚀机. 刻蚀机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵.上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

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上海伯东: 叶小姐                                                 台湾伯东: 王小姐
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铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀