上海伯东提供 4-8寸 IBE 离子束刻蚀机, 可以实现 ICP 或 RIE 无法进行的刻蚀, 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料. IBE 离子束刻蚀机离子束角度可以 ±90°任意调整, 刻蚀可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%).


IBE 离子束刻蚀机主要研发应用
光栅刻蚀: 闪耀光栅, 斜齿光栅, 平行光栅等刻蚀 ( VR, AR 光学镜片组件)
薄膜刻蚀: Pt, Au 涂层为主的功率器件
硅光刻蚀
MEMS 传感器刻蚀
自旋电子研究

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机典型客户应用案例

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺. 伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套IBE离子束刻蚀机. 刻蚀机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵.上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

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上海伯东: 叶小姐                                                  台湾伯东: 王小姐
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