上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.是一种干法物理纳米级别的刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%). IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 … 等研究.

对于“难去除”的材料比如贵金属（如金和铂）, 压电材料（锆钛酸铅 PZT ,  铌酸锂 LiNbO3 和 氮化铝钪 AlScN, 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料（如 Al 2 O 3 , Ni, Fe, Cr, Co, Cu, Mn 和 Pd 等）上海伯东 IBE 离子束刻蚀机同样有着稳定的刻蚀均匀性.

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机优势
1. 满足刻蚀的线条宽度要求
2. 满足刻蚀准直度要求
3. 可以实现 ICP 和 RIE 无法进行的刻蚀
4. 离子束角度可以±90°任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状






IBE 离子束刻蚀机, 刻蚀材料和速率一览表

 

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺. 伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套IBE离子束刻蚀机. 刻蚀机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵.上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

若您需要进一步的了解 NS 离子束刻蚀机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 叶小姐                                                  台湾伯东: 王小姐
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IBE 离子束刻蚀机刻蚀材料和速率