分子束外延(MBE)是一种晶体生长技术，将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中，由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在衬底上生长出极薄的，可薄至单原子层水平，单晶体和几种物质交替的超晶格结构。
分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该方法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度。
分子束外延系统对真空度要求及其高，对真空腔体的密封性、材料放气率、微量杂质气体和水蒸气比较敏感，本系统采用上海伯东德国 Pfeiffer 残气质谱仪 QMG 250 对超高真空腔体进行检漏，及材料放气组分及水汽进行分析，确保超高真空及真空的稳定性，对晶格的生长起到很好的作用。

客户案例：上海某研究所 MBE 超高真空系统
系统运行条件：
1. 主要针对 ZnO 等金属氧化物外延生长
2. 超高真空生长室，配有上海伯东德国 Pfeiffer 残余气体分析质谱仪 QMG 250 +液氮冷屏;
3. 配有12个加热泄流源.
4. 衬底加热器加热温度1200℃
5. SiC 衬底加热器可以在氧气环境下工作;
6. 线型进样室实现全自动送片 

配套 Pfeiffer QMG 250 残余气体分析质谱仪配置:
1.测量范围:1-100amu
2.检测器:Faraday/C-SEM
3.烘烤温度:200℃
4.离子源:Grid ion source
5.灯丝:Yttriated iridium
6.配有软件及I/O模块


Pfeiffer 残余气体质谱分析仪与友厂同级别质谱分析仪相比，更适用于移动应用，并且提供高解析度和灵敏度，可对气体进行定性和定量分析，应用范围广泛，从大气压力到高真空均可使用。

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