分子束外延 Molecular Beam Epitaxy, 简称 MBE 是一种晶体生长技术, 首先将待成长的芯片放置在超高真空腔体中 ~10-10Torr, 和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中, 当炉温升至一定温度时, 炉中的材料会以原子束或分子束的形式蒸发出来, 此时基板也被加热至一适当的温度, 分子束射至基板时, 就会与基板表面的原子结合而生长出极薄的, 可薄至单原子层水平, 单晶体和几种物质交替的超晶格结构. 分子束外延 MBE 设备在生长二维材料以及拓扑材料, 氧化物方面都有不错的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si SiGe, 金属与金属氧化物, 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

分子束外延 MBE 系统需要在超高真空环境中进行, 对真空度要求及其高, 真空度可到 2×10-10 torr, 同时需要分子泵低振动, 低噪音, 清洁无油确保超高真空的稳定性已保证晶格的生长和后期的探测分析.

上海伯东分子束外延 MBE 客户案例一: 某真空系统集成商搭建 MBE 设备, 经过我司推荐采购 Pfeiffer 涡轮分子泵组 HiCube 300 Pro. 客户的 MBE 系统可用于最大单片 4"或 3X2"的衬底, 进行 III-V,II-VI 及氮化物, 氧化物等各类材料的外延生长.


上海伯东分子束外延 MBE 客户案例二: 根据真空腔室大小和客户要求的抽空时间, 上海伯东推荐某真空设备商 MBE 设备搭配 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 700, 真空可达到10-10 Torr. HiPace 700 尺寸 Φ208 x 224mm, 重量 17.4 kg, 方便集成于设备中!

上海伯东销售维修 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 系列凭借紧凑结构和卓越性能, 适用于高真空和超高真空应用.HiPace 涡轮分子泵采用混合或磁悬浮轴承系统, 确保低噪音和低振动运行. 此外,  涡轮分子泵 HiPace 还提供特殊型号, 包括针对氢气等轻质气体压缩的版本, 以及配备耐腐蚀涂层的型号. 这些丰富的专用版本选择, 使 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 为涂层, 半导体制造和分析应用提供更优的解决方案.

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上海伯东 Pfeiffer 普发涡轮分子泵应用于分子束外延 MBE