【新品推荐】ULVAC-PHI 超高真空表面分析仪器
上海伯东代理日本 ULVAC-PHI 超高真空表面分析仪器, 包含 XPS 光电子能谱仪 , AES 俄歇电子能谱仪, Tof-SIMS 飞行时间二次离子质谱仪和 D-SIMS 动态二次离子质谱仪, 应用领域涵盖纳米技术, 太阳能技术, 微电子技术, 存储介质, 催化, 生物材料, 药品以及金属, 矿物, 聚合物, 复合材料和涂料等基础材料, 满足科学研究, 失效分析, 产品质量检测等需要.

X 射线光电子能谱仪 XPS
XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), 又称 ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis), 是利用 X 射线入射样品表面, 探测样品表面出射的光电子, 来获得表面组成及化学态信息的一种表面分析方法. XPS 可对元素成分进行定性定量分析, 同时通过微聚焦扫描技术可以实现微米级空间分辨能力, 因此广泛应用于科学研究和高科技产业等领域, 包括材料科学, 能源科学, 半导体器件, 微电子器件以及表面处理和表面异常检测等.

推荐型号: 光电子能谱仪 PHI GENESIS 500 既可常规高通量测试, 又可微区高性能测试 易操作式多功能选配附件 全自动样品传送停放 高性能大面积和微区 XPS 分析 快速精准深度剖析 为电池, 半导体, 有机器件以及其他各领域提供全面解决方案

硬 X射线光电子能谱仪 HAXPES
硬X射线光电子能谱 HAXPES 是一种先进的表面分析技术, 主要用于研究固体样品的表面电子结构和化学态. HAXPES 利用高能 X射线（例如 Cr Kα 射线 , 能量为 5414.7 eV）激发样品表面的电子. 通过测量这些电子的能量分布, 能够获得关于样品表面的化学成分和电子结构的详细信息. 与传统的 XPS（软X射线光电子能谱）相比, HAXPES 具有更深的探测深度, 通常可达约 30 nm, 适用于多层薄膜, 半导体光电器件等样品的无损深度分析.

推荐型号: 硬X射线光电子能谱  PHI GENESIS 900 易操作式多功能选配附件 全自动样品传送停放 高性能高通量的大面积和微区 HAXPES分析 快速精准深度剖析 更深的探测深度 更高的能量分辨率与材料兼容性 为电池, 半导体, 有机器件以及其他各领域提供全面解决方案

飞行时间二次离子质谱仪 TOF-SIMS
TOF-SIMS (Time of Flight Secondary lon Mass Spectrometry) 是利用脉冲离子束轰击样品表面产生二次离子, 经飞行时间分析器分析二次离子到达探测器的时间, 从而获得样品表面成份信息的分析技术. 其表面灵感度高,提供表面几个原子层的分子, 元素及其同位素的组成信息, 运用于所有元素和同位素, 包括氢元素.

推荐型号: 飞行时间二次离子质谱仪 PHI nanoTOF 3+  180度的广接收角, 可收集超过100 um大景深样品成像 立体收集焦距大和深景深 同时实现高空间及高质量分辨模式(High spatial resolution and mass resolution) 多种离子枪选配, 实现高精度深度剖析和3D成像 FIB-TOF三维深度分布成像 在 TOF-SIMS 上架设的 MSMS 质谱串联技术

俄歇电子能谱仪 Auger
AES  (Auger Electron Spectroscopy) 是利用电子束电离激发原子内层电子, 探测退激发过程出射的俄歇电子, 获得样品表面的组成及化学性质的分析方法. AES 不仅表面灵敏, 而且具有纳米级的空间分辨率, 因此广泛应用于半导体器件, 微电子器件和材料科学等研究.

推荐型号: 俄歇电子能谱仪 PHI 710 使用 CMA 同轴分析器, 实现 360度高灵敏度和高传输率分析. 即使在低电流情况下(高空间分辨率), 都可轻松进行分析 以 20kV 加速电压和 1nA 电流进行俄歇分析, AES 空间分辨率可达 8nm 在保有所有 CMA 的优点同时, 结合获得美国真空协会 AVS 设计奖的高能量分辨率功能, AES 可以进行各种纳米级区域的化学态分析

动态二次离子质谱仪 D-SIMS
ADEPT-1010 专为浅层半导体注入和绝缘薄膜的自动分析而设计, 是大多数半导体开发和支持实验室的常用工具. 通过优化的二次离子收集光学系统和超高真空设计, 提供了薄膜结构检测中的掺杂组分和常见杂质所需的灵敏度

推荐型号: 动态二次离子质谱仪 ADEPT-1010 高灵敏度二次离子检测光学系统 悬浮电位离子枪适于浅注入层分析 对大气污染物组分具有低检出限 绝缘体深度分析 高精度自动样品台

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