随着 AI 智算中心持续扩容, 1.6T, 3.2T超高速光模块进入规模化布局阶段, 薄膜铌酸锂 TFLN/LNOI 光子芯片凭借超大电光带宽, 低传输损耗优势, 逐步成为下一代高速光调制器核心技术路线. 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机助力国内多家光芯片企业加速布局 TFLN 产线.

薄膜铌酸锂波导的刻蚀轮廓直接决定光芯片传输损耗, 调制性能. 当前 1.6T/3.2T 高速 TFLN 光器件制造提出严苛工艺指标: 薄膜刻蚀侧壁准直度要求超过80°, 传统 ICP, RIE 干法刻蚀工艺存在明显短板: 铌酸锂刻蚀过程易产生难挥发副产物堆积在侧壁, 造成侧壁倾斜, 表面粗糙度上升, 难以稳定实现 80°以上陡直侧壁, 无法满足高端高速光芯片量产标准.

离子束刻蚀 IBE 是薄膜铌酸锂精密图形加工的优选技术路线. 上海伯东代理日本 NS IBE 离子束刻蚀设备依靠纯物理离子轰击刻蚀, 离子入射角度连续可调, 材料适配性广，非常适合难加工的铌酸锂晶体材料

一、NS IBE 离子束刻蚀应用于 TFLN 加工核心优势
1. 稳定实现 ＞80° 刻蚀侧壁准直度
可精准调控离子入射角度, 有效抑制侧壁再沉积, 获得陡直光滑的脊型波导侧壁轮廓，降低光波散射损耗，匹配1.6T/3.2T TFLN调制器量产指标


2. 适配复杂微纳图形制备
支持波导, 光栅耦合器, 微环谐振腔等多种复杂光子结构加工, 图形保真度高, 满足光子集成芯片多样化设计需求

3. 工艺稳定性强, 兼顾研发与中小批量量产
束流均匀性优异, 刻蚀速率可控, 既适合实验室工艺开发, 也可向晶圆级量产工艺平滑迁移

上海伯东是日本 NS IBE 离子束刻蚀设备中国官方代理, 深耕真空与微纳加工领域多年, 可提供设备选型, 工艺方案开发,  设备安装调试, 售后技术支持一站式服务, 面向薄膜铌酸锂, 钽酸锂, 光学晶体, 半导体薄膜等客户提供成熟IBE刻蚀解决方案.


除薄膜铌酸锂光子芯片外, NS IBE 离子束刻蚀同样广泛应用于集成光学, 量子芯片, MEMS器件, 磁性薄膜, 光学镀膜基底精密加工等领域, 是高精度各向异性刻蚀的主流工艺设备.

结语: 在1.6T, 3.2T光模块产业浪潮下, 薄膜铌酸锂产业链竞争逐步转向精密制造工艺比拼. 突破高侧壁准直度刻蚀瓶颈, 是提升TFLN光芯片良率与器件性能的关键. 上海伯东日本NS IBE离子束刻蚀工艺, 为国内光芯片厂商提供可靠的薄膜铌酸锂精密加工路径, 助力国产高速光芯片产业化落地.

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套IBE离子束刻蚀机. 刻蚀机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵.上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

若您需要进一步的了解 NS IBE 离子束刻蚀机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 叶小姐                                                台湾伯东: 王小姐
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