KRI 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

伯东离子源      精密薄膜控制

伯东离子源蚀刻均匀性

伯东离子源精密光学

伯东离子源MEMS,传感器和显示器

考夫曼离子源创始人 Harold Kaufman

1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,开始研发生产适合民用的霍尔离子源和考夫曼离子源

KRI 射频离子源 RFICP 系列

射频离子源, 提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼离子源 KDC 系列

离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

型号

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

离子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 霍尔离子源 eH 系列

霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源
发散离子束 >45

KRI 霍尔离子源 eH 400

霍尔离子源 eH 400
尺寸:直径= 3.7“ 高= 3”
离子束动能: 50-300eV
电流: 5a

霍尔离子源 eh400

KRI 考夫曼离子源 KDC 75

考夫曼离子源 KDC 75
尺寸: 直径= 5.5“ 高= 7.9”
离子束动能: 100-1200 eV
电流: 250 mA

考夫曼离子源

KRI 考夫曼离子源 KDC 10

考夫曼型离子源 KDC 系列最小型号的离子源
尺寸:直径= 1.52“ 高= 4.5”
离子束动能: 100-1200 ev
电流: 10 mA

考夫曼离子源  KDC 10

KRI 考夫曼离子源 KDC 40

考夫曼离子源 KDC 40
尺寸: 直径= 3.5“ 高= 6.75”
离子束动能: 100-1200 eV
电流: 120 mA

考夫曼离子源 KDC40

KRI 霍尔离子源 eH 1000

霍尔离子源 eH 1000
尺寸:直径= 5.7“ 高= 5.5”
离子束动能: 50-300V
电流: 10A

霍尔离子源

KRI 霍尔离子源 eH 2000

霍尔离子源 eH 2000
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
离子束动能: 50-300V
电流: 10A 或 15A

霍尔离子源eh2000

1234>