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KRI 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
 

伯东离子源      精密薄膜控制

伯东离子源蚀刻均匀性

伯东离子源精密光学

伯东离子源MEMS,传感器和显示器

考夫曼离子源创始人 Harold Kaufman

考夫曼离子源创始人 Harold Kaufman 产品详细资料

1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,开始研发生产适合民用的霍尔离子源和考夫曼离子源

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列 产品详细资料

霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源
发散光束 >45

KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列

KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列 产品详细资料

离子源通过加热灯丝产生离子束,低浓度高能量宽束型离子源
利用栅极控制离子束的浓度和方向, 离子束可选集中,平行,散设

KRI 射频离子源 Gridded RFICP 系列

KRI 射频离子源 Gridded RFICP 系列 产品详细资料

射频离子源, 提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长

KRI 霍尔离子源 eH 400

KRI 霍尔离子源 eH 400 产品详细资料

霍尔离子源 eH 400
尺寸:直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压: 50-300eV
电流: 5a

霍尔离子源 eh400

KRI 考夫曼离子源 KDC 75

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 产品详细资料

考夫曼离子源 KDC 75
尺寸: 直径= 5.5“ 高= 7.9”
放电电压: 100-1200 eV
电流: 250 mA

考夫曼离子源

KRI 考夫曼离子源 KDC 10

KRI 考夫曼离子源 KDC 10 产品详细资料

考夫曼型离子源 KDC 系列最小型号的离子源
尺寸:直径= 1.52“ 高= 4.5”
放电电压: 100-1200 ev
电流: 10 mA

考夫曼离子源 KDC 10

KRI 考夫曼离子源 KDC 40

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产品详细资料

考夫曼离子源 KDC 40
尺寸: 直径= 3.5“ 高= 6.75”
放电电压: 100-1200 eV
电流: 120 mA

考夫曼离子源 KDC40

KRI 霍尔离子源 eH 1000

KRI 霍尔离子源 eH 1000 产品详细资料

霍尔离子源 eH 1000
尺寸:直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压: 50-300V
电流: 10A

霍尔离子源

KRI 霍尔离子源 eH 2000

KRI 霍尔离子源 eH 2000 产品详细资料

霍尔离子源 eH 2000
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压: 50-300V
电流: 10A 或 15A

霍尔离子源eh2000
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