KRI 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
霍尔离子源 射频离子源 考夫曼离子源 自动控制器
考夫曼离子源创始人 Harold Kaufman
1926 年在美国出生 |
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KRI 霍尔离子源 eH 系列
霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源
型号 |
eH 200 |
eH 400 |
eH 1000 |
eH 2000 |
eH 3000 |
离子束流 |
2A |
5A |
10A |
10A |
20A |
离子动能 |
30-300 V |
50-300 V |
100-300 V |
50-250 V |
50-250 V |
栅极直径 |
2.5” |
3.7” |
5.7” |
5.7” |
9.7” |
离子束 |
> 45°散射 |