KRi 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
考夫曼离子源创始人 Dr. Harold Kaufman
1926 年在美国出生 |
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射频离子源 RFICP 380
大口径射频离子源, 3层栅极设计, 离子源栅极口径 30cm, 满足 300 mm (12英寸) 晶圆应用
型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
RFICP 380 |
100-1200 V |
>1500 mA |
38 cm Φ |
平行, 聚焦, 散射 |
射频离子源 RFICP 220
高能量射频离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 满足 200 mm (8英寸) 晶圆应用
型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
RFICP 220 |
100-1200 V |
>1000 mA |
22 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射频离子源 RFICP 140
紧凑设计离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀
型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
RFICP 140 |
100-1200 V |
>600 mA |
14 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
考夫曼离子源 KDC 75
紧凑栅极离子源, 适用于中小型腔内
型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
KDC 75 |
100-1200 V |
>250 mA |
7.5cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
考夫曼离子源 KDC 10
小型考夫曼离子源, 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻
型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
KDC 10 |
100-1200 V |
>10 mA |
1 cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
考夫曼离子源 KDC 40
小型考夫曼离子源, 低成本直流栅极离子源
型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
KDC 40 |
100-1200 V |
>100 mA |
4cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |