美国 KRi 离子源提供考夫曼离子源,射频离子源,霍尔离子源

KRi 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

霍尔离子源 射频离子源 考夫曼离子源 离子源中和器

考夫曼离子源创始人 Dr. Harold Kaufman

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1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研发生产商用离子源
2016 年入选美国太空总署 Grenn 研究中心名人堂
2018 年1月逝世

KRi 射频离子源 RFICP 系列

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射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

离子源型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射

KRi 考夫曼离子源 KDC 系列

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离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

离子源型号	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
离子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射

KRi 霍尔离子源 eH 系列

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霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源

离子源型号	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000	eH Linear
离子动能	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V	50-300 V
离子束流	5A	10A	10A	20A	根据实际应用
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45