KRi 离子源|伯东真空

KRI 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
霍尔离子源射频离子源考夫曼离子源离子源自动控制器

考夫曼离子源创始人 Dr. Harold Kaufman

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1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研发生产商用离子源
2016 年入选美国太空总署 Grenn 研究中心名人堂
2018 年1月逝世

KRI 射频离子源 RFICP 系列

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射频离子源, 提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼离子源 KDC 系列

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离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

型号	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
离子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射

KRI 霍尔离子源 eH 系列

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霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源

型号	eH 200	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000
离子束流	2A	5A	10A	10A	20A
离子动能	30-300 V	50-300 V	100-300 V	50-250 V	50-250 V
栅极直径	2.5”	3.7”	5.7”	5.7”	9.7”
离子束	> 45°散射