KRi 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.

在真空环境下, 通过使用美国 KRi 离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.

美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

离子源       霍尔离子源                                       射频离子源                                  考夫曼离子源                              离子源中和器

考夫曼离子源创始人 Dr. Harold Kaufman

1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研发生产商用离子源
2016 年入选美国太空总署 Grenn 研究中心名人堂
2018 年1月逝世

KRi 射频离子源 RFICP 系列

射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

离子源型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

22 cm Φ

38 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

KRi 考夫曼离子源 KDC 系列

离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

离子源型号

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

离子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

KRi 霍尔离子源 eH 系列

霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源

离子源型号

eH 400

eH 1000

eH 2000

eH 3000

eH Linear

离子动能

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

离子束流

5A

10A

10A

20A

根据实际应用

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

射频离子源 RFICP 380

大口径射频离子源, 3层栅极设计, 离子源栅极口径 30cm, 满足 300 mm (12英寸) 晶圆应用

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 380

100-1200 V

>1500 mA

38 cm Φ

平行, 聚焦, 散射

射频离子源 RFICP 220

高能量射频离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 满足 200 mm (8英寸) 晶圆应用

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 220

100-1200 V

>1000 mA

22 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频离子源 RFICP 140

紧凑设计离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 140

100-1200 V

>600 mA

14 cm Φ

平行,聚焦,散射

考夫曼离子源 KDC 75

紧凑栅极离子源, 适用于中小型腔内

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 75

100-1200 V

>250 mA

7.5cm Φ

聚焦, 平行, 散射

考夫曼离子源 KDC 10

小型考夫曼离子源, 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 10

100-1200 V

>10 mA

1 cm Φ

聚焦, 平行, 散射

考夫曼离子源 KDC 40

小型考夫曼离子源, 低成本直流栅极离子源

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 40

100-1200 V

>100 mA

4cm Φ

聚焦, 平行, 散射

1234...5>