光通信的信息载体是光波, 为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量, 满足光通信系统的使用要求,  上海伯东美国 KRi 离子源通过离子束溅射, 辅助薄膜沉积等工艺在离子束镀膜系统中实现光模块, 光器件等薄膜元件的精密加工. 离子源典型应用例如, 在光纤连接面镀 AR 增透膜 (减反射膜), 达到减少光纤对光的损耗, 增加光的透过率, 减少反射的工艺效果.



与国产离子源对比, 上海伯东美国 KRi 射频离子源主要特点
无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 单次工艺时间更长, 非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备
提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜
远离等离子体: 低基材温度, 不需要偏压衬底
溅射任何材料, 不需要射频溅射电源
清洁, 低污染工艺
优良的反应沉积工艺, 沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量
可控制的离子能量, 离子电流密度

KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板远离溅射目标
工艺压力在小于× 10-4 torr

 

美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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美国 KRi 离子源光通信应用,助力 5G技术发展