上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 140 应用于 8寸 MEMS 刻蚀机, 实现 MEMS 电极蚀刻(刻蚀材料 Au/Ti )和铁磁多层蚀刻 (刻蚀材料 Ru/Co/Fe/Pt/Ta). 刻蚀均匀性 < 5%.


 

KRi 射频离子源 RFICP 140 优势
等离子放电腔: 通过射频 RFICP 技术产生高密度等离子束, 1kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配; 无灯丝, 使用寿命更长
离子源结构: 模块化组件易于维修; 内部基座安装, 优化工艺速率和均匀性
离子束: 自对准技术, 可选聚焦, 准直, 散射;
栅网: 标准二层, 可选三层栅网.(覆盖面积更大, 精密控制离子束流的能量, 方向, 保障输出束流质量的同时最小化能量损耗. 对污染的工艺环境, 具备一定的防护作用.)

KRi 射频离子源 RFICP 140 基本性能
14cm 三层钼栅网,聚焦型, 工艺气体 Ar, 距离约 30 cm


上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.  在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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