2026-01-21 更新
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KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积 IBAD, 溅射镀膜 IBSD, 纳米级的干式蚀刻 IBE, 和表面改性等
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常见的工艺应用 |
简称 |
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In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗 |
PC |
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Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性 |
IBSM |
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Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积 |
IBAD |
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Ion Beam Etching 离子蚀刻 |
IBE |
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Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积 |
IBSD |
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Direct Deposition 直接沉积 |
DD |
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.
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精密薄膜控制 |
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半导体 |
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蚀刻晶元 |
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MEMS, 传感器和显示器 |
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精密光学 |
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磁数据存储 |
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.
上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
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