上海伯东代理德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计 DosiTorr 替代离子规, 解决电离真空计漂移, 测量精度差等难点, 优化 PVD 脱气工艺, 经过优化的脱气工艺可大幅提升金属层附着力, 减少界面缺陷, 提高 DRAM 与先进逻辑芯片生产良率.

PVD 脱气工艺
物理气相沉积 PVD 是基于真空环境的薄膜制备工艺, 在先进半导体制造中起到关键作用, 在 DRAM 及其他微电子器件生产中,  PVD 工艺用于沉积超高纯度金属薄膜. 金属镀层对附着力, 薄膜纯度, 晶圆表面质量要求严苛, 因此金属镀膜前必须对晶圆表面做充分预处理.
脱气腔的核心作用: 在金属沉积前, 即刻去除晶圆表面原生氧化层, 有机污染物及表面吸附杂质.

主流处理方式分为两种：
1. 原位离子溅射(通入氩等离子体),  物理剥离表面氧化层
2. 氢气等工艺等离子体化学还原处理

传统电离真空计在 PVD 脱气腔中的应用痛点
1. 电离真空计漂移, 测量精度差
- 抽真空周期压力读数不准, 设备产能受限
- 无法精准检测腔体泄漏, 材料放气情况

2. 通入氢气工艺气体时, 电离真空计无法监测工艺压力
电离真空计工作时存在能量释放, 有氢气燃爆风险, 导致工艺全程无压力监测, 生产处于“盲操作”状态; 同时无法监控质量流量控制器 MFC 工作状态.

上海伯东磁悬浮转子真空计 DosiTorr 在 PVD 脱气工艺中的应用优势
1. 不干扰真空环境, 可精准测量氢气工艺气体压力
2. 优化脱气工艺, 提升芯片良率
3. 获取关键工艺数据: 质量流量控制器性能, 腔体泄漏, 材料放气状况
4. 拓宽稳定工艺窗口
5. 优化抽真空流程, 提升设备产能
6. 适配工艺压力区间: 10⁻⁴ ~ 10⁻² mbar
7. 单次脱气工艺时长1–3分钟, 磁悬浮转子真空计仅 1秒响应速度, 完全适配生产节奏
8. 测量精度优异稳定: 读数误差±1%, 年漂移量＜1.5%
9. 完整覆盖 10 至 10⁻⁷ mbar 测量范围
10. 超高洁净设计: 所有接触气体部件均为全金属材质
11. 使用寿命匹配半导体设备整机设计周期
12. 即插即用一体化方案, 磁悬浮转子真空计配套组态功能

上图 : 通入氢气工艺气体时, 磁悬浮转子真空计 DosiTorr 对多组脱气工艺周期的压力监测曲线
曲线特征：10⁻²~10⁻⁶ mbar 压力读数稳定精准, 抽真空周期数据可稳定, 重复采集.

从1976年 第一代旋转转子真空计原型机的问世至今, 磁悬浮旋转转子技术历经半个世纪的发展迭代, 上海伯东德国 ph-instruments 中国总代理, 专注于为客户提供定制化解决方案, 并持续提供专业技术支持.  德国 ph-instruments SRG 磁悬浮转子真空计不仅仅定位为传统真空计的替代品, 而是作为确保先进制造制程中计量完整性的基础技术. 透过提供高度准确和稳定的真空测量,SRG 旋转转子真空计能够实现更严格的制程控制, 减少变异性, 应用并提高半导体制造, 镀膜, 显示面板, 光伏等高精密应用中的良率和产品质量.

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