2025-12-10 更新
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美国 KRi 射频离子源工作原理
上海伯东美国 KRi RFICP 射频离子源工作原理: 工艺气体（如氩气）进入放电腔 Discharge Chamber, 射频功率通过电感耦合传输, 形成高频电场, 自由电子在电场中被加速并与气体原子碰撞, 使其电离, 产生等离子体, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 从而提供高能量的离子束流. KRi RFICP 射频离子源无需电离灯丝, 射频自动匹配, 单次工艺时间更长!
如上图所示, 在放电室 Discharge Chamber 中产生的正离子, 在高压（束流电源提供）作用下, 被加速穿过屏栅和加速栅上的精密孔径. 离子最终以获得等于束流电源电压的能量轰击处于地电位的靶材
离子光学系统: 是离子源的核心部件, 决定了束流的形状（可聚焦, 准直或散射）和电流密度
美国 KRi RFICP 射频离子源优势
射频自动匹配
栅网直径: 1至 30cm, 可选配三层栅网
离子束电流: 2至 1500 mA
离子能量范围(单能): 100 至 1500 eV
束流形状: 聚焦, 平行, 散射
精确控制: 可重复, 稳定的离子束, 射频离子源能对离子轨迹进行精确控制, 束流定向性好
自动电荷中和
上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. KRi RFICP 射频离子源广泛用于先进光学, 光子, 磁性和微电子器件的研究及工业制造.
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型号 |
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Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
1kW & 1.8 MHz |
2kW & 2 MHz |
2kW & 1.8 MHz |
|
离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
22 cm Φ |
38 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
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上海伯东美国 KRi 射频离子源应用场景
离子辅助镀膜 IBAD
镀膜前离子预清洗 PC
表面改性, 激活 SM
直接沉积薄, 硬或功能涂层 DD
离子束溅射沉积 IBSD
离子束刻蚀 IBE, 可以覆盖 12英寸(300 mm)
离子束抛光 IBF
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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