上海伯东美国 KRi RFICP 射频离子源工作原理: 工艺气体（如氩气）进入放电腔 Discharge Chamber, 射频功率通过电感耦合传输, 形成高频电场, 自由电子在电场中被加速并与气体原子碰撞, 使其电离, 产生等离子体, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 从而提供高能量的离子束流. KRi RFICP 射频离子源无需电离灯丝, 射频自动匹配, 单次工艺时间更长!‌‌


如上图所示, 在放电室 Discharge Chamber 中产生的正离子, 在高压（束流电源提供）作用下, 被加速穿过屏栅和加速栅上的精密孔径. 离子最终以获得等于束流电源电压的能量轰击处于地电位的靶材

离子光学系统: 是离子源的核心部件, 决定了束流的形状（可聚焦, 准直或散射）和电流密度


美国 KRi RFICP 射频离子源优势
射频自动匹配
栅网直径: 1至 30cm, 可选配三层栅网
离子束电流: 2至 1500 mA
离子能量范围(单能): 100 至 1500 eV
束流形状: 聚焦, 平行, 散射
精确控制: 可重复, 稳定的离子束, 射频离子源能对离子轨迹进行精确控制, 束流定向性好
自动电荷中和

上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. KRi RFICP 射频离子源广泛用于先进光学, 光子, 磁性和微电子器件的研究及工业制造.

上海伯东美国 KRi 射频离子源应用场景
离子辅助镀膜 IBAD
镀膜前离子预清洗 PC
表面改性, 激活 SM
直接沉积薄, 硬或功能涂层 DD
离子束溅射沉积 IBSD
离子束刻蚀 IBE, 可以覆盖 12英寸(300 mm)
离子束抛光 IBF

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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美国 KRi 射频离子源工作原理