2026-01-27 更新
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KRi 离子源常见工艺应用
通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
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KRi 离子源常见工艺应用
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工艺应用 |
简称 |
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In-situ substrate preclean 预清洁 |
PC |
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Ion-beam modification of material and surface properties |
IBSM |
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- Surface polishing or smoothing 表面抛光 |
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- Surface nanostructures and texturing |
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- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强 |
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- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐 |
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- Surface-activated bonding 表面激活键合 |
SAB |
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Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜 |
IBAD |
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Ion-beam etching 离子蚀刻 |
IBE |
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- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻 |
RIBE |
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- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻 |
CAIBE |
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Ion-beam sputter deposition 离子溅射 |
IBSD |
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- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射 |
RIBSD |
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- Biased target ion-beam sputter deposition |
BTIBSD |
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Direct deposition 直接沉积 |
DD |
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- Hard and functional coatings |
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上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.
上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
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