2026-01-27 更新
阅读数 : 70
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KRI 离子源应用于有机材料热蒸镀设备 OLED, OPV
有机金属热沉积系统是一种热蒸发的方式, 用于将有机或金属材料沉积到基板表面上.该过程需要通过精确控制温度和沉积速率来实现薄膜的高精度和均匀性. 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且 KRI 离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 有机材料热沉积系统使用高精准热蒸发源作为加热源, 并使用金属, 石英, 陶瓷或 PBN 坩埚来容纳有机材料以及 PID 控制器来控制其沉积速率. 该系统通常用于有机电子研究领域, 例如 OPV, OLED, OPD...
上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
射频离子源 RFICP 系列技术参数:
|
型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
|
Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
|
离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
||||
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.
上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐 台湾伯东: 王小姐
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上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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